Intel tiene un nuevo 'roadmap'. Y desvela por qué su futuro está en las manos de las litografías 18A y 14A
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Intel tiene un nuevo 'roadmap'. Y desvela por qué su futuro está en las manos de las litografías 18A y 14A

La competitividad a corto plazo de Intel está estrechamente vinculada al éxito de una sola tecnología de fabricación de semiconductores: la fotolitografía 18A. Ben Sell, vicepresidente de desarrollo de tecnología de Intel, confirmó a finales del pasado mes de septiembre que el nodo 18A ya tiene la madurez necesaria para entrar en producción a gran escala en 2025. Y también aseguró que se beneficiará de los recursos que han sido reasignados desde el nodo 20A.
Ahora mismo esta es la baza que tiene Intel para competir con TSMC y Samsung en el mercado de la producción de circuitos integrados en un año en el que las fotolitografías de 2 nm van a despegar sí o sí. La litografía 18A se erige ante todo sobre dos innovaciones esenciales: los transistores RibbonFET Gate-All-Around (GAA) y la tecnología de entrega de energía PowerVia. Esto ya lo sabíamos, pero ahora gracias al roadmap actualizado que acaba de publicar Intel, sabemos mucho más.
Las litografías 18A-PT y 14A sellarán el futuro de Intel hasta 2028
La litografía 14A será la primera en la que Intel utilizará los equipos UVE de alta apertura de ASML. En el roadmap que publicamos un poco más abajo en este artículo podemos ver que esta tecnología de integración llegará en 2027, y poco después, aunque ese mismo año, estará listo también el nodo 14A-E, que no será otra cosa que una revisión de la tecnología de integración 14A original. Un apunte importante: cuando Intel nos habla de sus nodos 18A o 14A lo que nos está diciendo es que estas tecnologías de integración son equiparables, siempre según la propia Intel, a las litografías de 1,8 nm y 1,4 nm de TSMC o Samsung, que son sus principales competidores.
La fotolitografía 18A-PT será compatible con la tecnología avanzada de empaquetado Foveros Direct 3D
Las novedades más relevantes que podemos ver en el nuevo itinerario de esta compañía son la fotolitografía 18A-P, que es una revisión de alto rendimiento del nodo 18A, y la tecnología de integración 18A-PT. La primera de ellas llegará en 2026. De hecho, ya está siendo probada con el propósito de iniciar la producción a gran escala el año que viene. La fotolitografía 18A-PT estará lista mucho más tarde, en 2028, pero tiene una característica muy importante: será compatible con la tecnología avanzada de empaquetado Foveros Direct 3D gracias a un sistema de interconexiones híbrido que permite apilar chips en la dimensión vertical.

Esta técnica de empaquetado será muy importante para Intel debido a que permitirá a la compañía liderada actualmente por Lip Bu-Tan competir con las tecnologías de empaquetado avanzado COWOS de TSMC y I-Cube, H-Cube y X-Cube de Samsung. La principal diferencia entre estas implementaciones reside en la forma en que se distribuyen o apilan los circuitos integrados sobre el sustrato, una decisión que condiciona profundamente el rendimiento de las interconexiones.
Sea como sea el itinerario actual de Intel no concluye con el nodo 14A. Keyvan Esfarjani, que es uno de los máximos responsables de la filial de esta compañía que está especializada en la fabricación de circuitos integrados, confirmó en febrero de 2024 que la producción de chips en el nodo 10A (que presumiblemente será equivalente a las litografías de 1 nm de sus competidores) comenzará a finales de 2027. Tiene sentido si tenemos presente que en esa fecha Intel planea iniciar la fabricación a gran escala en el nodo 14A, aunque, eso sí, la producción masiva de semiconductores de 1 nm llegará más tarde (posiblemente bien entrado 2028).
Imagen | ASML
Más información | Tom's Hardware
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Juan Carlos López
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